AD7712–SPECIFICATIONS
参数
电源要求
电源电压
AV
DD
电压
18
DV
DD
电压
19
AV
DD
– V
SS
电压
电源电流
AV
DD
当前
DV
DD
当前
V
SS
当前
电源抑制
20
正电源（AV
DD
和DV
DD
)
负电源（V
SS
)
功耗
普通模式
普通模式
待机（省电）模式
22
A，S版本
1
单位
条件/评论
+5至+10
+5
+10.5
4
4.5
1.5
见注21
90
45
52.5
200
V NOM
V NOM
V最大
最大mA
最大mA
最大mA
dB典型值
dB典型值
毫瓦MAX
毫瓦MAX
µW
最大
AV
DD
æ DV
DD
= +5 V, V
SS
= 0 V ;一般为25毫瓦
AV
DD
æ DV
DD
= +5 V, V
SS
= -5V ;一般为30毫瓦
AV
DD
æ DV
DD
= +5 V, V
SS
= 0 V或-5 V ;通常情况下100
µW
±
对于指定的性能5 ％
±
对于指定的性能5 ％
对于指定的性能
V
SS
= –5 V
拒绝w.r.t. AGND ;假定V
BIAS
固定
笔记
18
在AD7712中指定了10 MHz的时钟AV
DD
+5 V电压
±
5％。它指定了一个8 MHz的时钟AV
DD
电压大于5.25 V少
超过10.5 V.
19
该
±5%
宽容的DV
DD
输入被允许提供的DV
DD
不超过AV
DD
超过0.3V。
20
测量直流和适用于所选择的通带。电源抑制比，在50赫兹将超过120分贝10赫兹， 25赫兹或50赫兹的滤波器陷波。 PSRR在60赫兹会
超过120分贝10赫兹， 30赫兹或60赫兹的滤波器陷波。
21
PSRR取决于增益： 1 = 70 dB典型值增益; 2 = 75 dB典型值增益; 4 = 80 dB典型值增益;涨幅为8〜 128 ≥85 dB典型值。这些数字可以提高
（ 95 dB典型值），通过推导V
BIAS
电压（通过齐纳二极管或参考）从AV
DD
供应量。
22
使用硬件待机引脚。使用的控制寄存器中的软件待机位（ PD ）的待机功耗为8 mW的典型值。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
绝对最大额定值*
(T
A
= + 25℃ ，除非另有说明）
AV
DD
以DV
DD
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至+12 V
AV
DD
到V
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至+12 V
AV
DD
到AGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至+12 V
AV
DD
到DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至+12 V
DV
DD
到AGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至6 V
DV
DD
到DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至6 V
V
SS
到AGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +0.3 V至-6 V
V
SS
到DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +0.3 V至-6 V
AIN1输入电压至AGND 。 。 V
SS
- 0.3 V至AV
DD
+ 0.3 V
基准输入电压至AGND
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
SS
- 0.3 V至AV
DD
+ 0.3 V
REF OUT到AGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至AV
DD
数字输入电压至DGND 。 。 。 。 。 -0.3 V至AV
DD
+ 0.3 V
数字输出电压DGND 。 。 。 -0.3 V到DV
DD
+ 0.3 V
工作温度范围
商业（A版） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
扩展（S版） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至+ 125°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
引线温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
功率耗散（任何套餐）到+ 75°C 。 。 。 。 。 。 。 。 450毫瓦
*注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的运作中列出的任何其他条件
该规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
订购指南
模型
温度范围
封装选项*
N-24
R-24
Q-24
Q-24
AD7712AN
-40 ° C至+ 85°C
AD7712AR
-40 ° C至+ 85°C
AD7712AQ
-40 ° C至+ 85°C
AD7712SQ
-55 ° C至+ 125°C
EVAL- AD7712EB评估板
* N =塑料DIP ， Q = CERDIP ; R = SOIC 。
小心
ESD （静电放电）敏感器件。数字控制输入二极管保护;
然而，永久性的损害可能会发生在受到高能未连接设备电 -
静态字段。未使用的设备必须存储在导电泡沫或分流器。保护泡沫
应排出到目的地插座插入装置之前。
警告！
ESD敏感器件
–4–
英文内容
AD [ ANALOG DEVICES ]
