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APT15GP60K 参数 Datasheet PDF下载

APT15GP60K图片预览
型号: APT15GP60K
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内容描述: 功率MOS 7 IGBT [POWER MOS 7 IGBT]
分类和应用: 晶体晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管局域网
文件页数/大小: 6 页 / 199 K
品牌: ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
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TYPICALPERFORMANCECURVES  
APT15GP60K  
4,000  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
C
ies  
1,000  
500  
C
oes  
100  
50  
C
res  
10  
0
10  
0
10  
20  
30  
40  
50  
0
100 200 300 400 500 600 700  
V ,COLLECTORTOEMITTERVOLTAGE  
CE  
V
,COLLECTOR-TO-EMITTERVOLTAGE(VOLTS)  
CE  
Figure 17, Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage  
Figure 18, Minimim Switching Safe Operating Area  
0.60  
0.50  
0.9  
0.40  
0.7  
0.30  
0.5  
Note:  
0.20  
t
1
0.3  
t
2
0.10  
t
1
0.1  
Duty Factor D =  
Peak T = P x Z  
/
t
2
+ T  
0.05  
J
DM θJC  
C
SINGLEPULSE  
0
10-5  
10-4  
10-3  
10-2  
10-1  
1.0  
RECTANGULARPULSEDURATION(SECONDS)  
Figure19A,MaximumEffectiveTransientThermalImpedance,Junction-To-CasevsPulseDuration  
292  
RC MODEL  
Junction  
temp. ( ”C)  
0.216  
0.284  
0.00600  
0.164  
100  
50  
Power  
(Watts)  
Case temperature  
T
T
=
125°C  
75°C  
J
=
C
D = 50 %  
V
=
400V  
CE  
R
= 5 Ω  
G
10  
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50  
FIGURE19B, TRANSIENT THERMALIMPEDANCE MODEL  
I , COLLECTOR CURRENT (A)  
C
Figure 20, Operating Frequency vs Collector Current  
Fmax = min(fmax1,fmax 2  
)
0.05  
fmax1  
=
td(on) + tr + td(off ) + tf  
P
P  
diss  
cond  
fmax 2  
=
Eon2 + Eoff  
T TC  
RθJC  
J
P
=
diss