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AP20GT60I 参数 Datasheet PDF下载

AP20GT60I图片预览
型号: AP20GT60I
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内容描述: N沟道绝缘栅双极晶体管 [N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 99 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP20GT60I
30
1
占空比系数= 0.5
25
归热响应(R
thJC
)
0.2
功耗( W)
20
0.1
0.1
0.05
15
0.02
0.01
P
DM
0.01
单脉冲
10
t
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
5
0
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
结温(
)
T,脉冲宽度(S )
Fig7 。功耗与结
温度
20
图8.有效的瞬态热
阻抗
20
T
C
=25 C
V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
o
T
C
= 150
o
C
15
15
10
10
5
5
I
C
= 60 A
40 A
20 A
0
0
4
8
12
16
20
I
C
= 60 A
40 A
20 A
0
0
4
8
12
16
20
V
GE
,栅极 - 发射极电压( V)
V
GE
,栅极 - 发射极电压( V)
图9.饱和电压与V
GE
图10.饱和电压与V
GE
16
1000
V
GE
,门发射极电压( V)
I
C
=20A
V
CC
=480V
12
V
GE
=15V
T
C
=125 C
I
C
,峰值集电极电流(A )
100
o
8
10
4
安全工作区
0
0
20
40
60
80
100
120
1
0.1
1
10
100
1000
10000
Q
G
,栅极电荷( NC)
V
CE,
集电极 - 发射极电压( V)
图11.栅极电荷特性研究
图12.关断SOA
3