欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

AP20GT60I 参数 Datasheet PDF下载

AP20GT60I图片预览
型号: AP20GT60I
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: N沟道绝缘栅双极晶体管 [N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 99 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
 浏览型号AP20GT60I的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AP20GT60I的Datasheet PDF文件第3页  
AP20GT60I
符合RoHS标准的产品
先进的电源
电子股份有限公司
特点
N沟道绝缘栅
双极晶体管
V
CES
高速开关
低饱和电压
V
CE (SAT) ,典型值。
=1.8V@I
C
=20A
符合RoHS产品
I
C
G
C
E
TO-220CFM(I)
600V
20A
C
G
E
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
GE
I
C
@T
C
=25 C
I
C
@T
C
=100 C
I
CM
P
D
@T
C
=25 C
T
英镑
T
J
o
o
o
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
集电极电流
集电极电流脉冲
1
等级
600
+20
40
20
160
25
-55到150
150
单位
V
V
A
A
A
W
最大功率耗散
存储温度范围
工作结温范围
注意事项:
1.Pulse宽度有限的最大值。结温。
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
热阻结案件
热阻结到环境
参数
价值
5
65
单位
℃/W
℃/W
电气特性@ T
j
=25
o
℃(除非另有规定)
符号
I
GES
I
CES
V
CE ( SAT )
V
CE ( SAT )
V
GE (日)
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
C
IES
C
OES
C
水库
参数
门极 - 发射极漏电流
集电极 - 发射极漏电流
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
栅极阈值电压
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
GE
=0V
V
CE
=30V
f=1.0MHz
测试条件
V
GE
=+20V, V
CE
=0V
V
CE
=600V, V
GE
=0V
V
GE
= 15V ,我
C
=20A
V
GE
= 15V ,我
C
=35A
V
CE
=V
GE
, I
C
=250uA
I
C
=20A
V
CC
=480V
V
GE
=15V
V
CE
=480V,
I
c
=20A,
V
GE
=15V,
R
G
=5Ω,
感性负载
分钟。
-
-
-
-
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
1.8
2
-
100
24
40
50
20
135
190
0.3
0.9
3400
75
50
马克斯。
+100
25
2.5
2.7
6
160
-
-
-
-
-
380
-
-
5440
-
-
单位
nA
uA
V
V
V
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
pF
pF
pF
数据和规格如有变更,恕不另行通知
1
201105102