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AP20GT60I 参数 Datasheet PDF下载

AP20GT60I图片预览
型号: AP20GT60I
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内容描述: N沟道绝缘栅双极晶体管 [N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 99 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP20GT60I
200
200
T
C
=25 C
160
o
I
C
,集电极电流( A)
120
I
C
,集电极电流( A)
20V
18V
15V
12V
V
GE
=10V
T
C
=150
o
C
160
20V
18V
15V
12V
V
GE
=10V
120
80
80
40
40
0
0
4
8
12
16
0
0
4
8
12
16
20
V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
200
3
V
GE
=15V
160
V
GE
= 15 V
V
CE (SAT) ,
饱和电压(V )
3
I
C ,
集电极电流( A)
120
T
C
=25
T
C
=150
I
C
= 40 A
2
I
C
=20A
2
80
40
1
0
1
0
2
4
6
8
0
40
80
120
160
V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
结温(
o
C)
图3.典型的饱和电压
特征
图4.典型的集电极 - 发射极电压
V.S.结温
f=1.0MHz
1.6
5000
I
C
=1mA
4000
归V
GE (日)
(V)
1.2
电容(pF)
C
IES
3000
0.8
2000
0.4
1000
-
-
C
OES
C
水库
0
-50
0
50
100
150
0
1
5
9
13
17
21
25
29
33
37
结温(
o
C )
V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
图5.栅极阈值电压
图6.典型的电容特性研究
V.S.结温
2