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    AP1332GEV-HF 参数 Datasheet PDF下载

    AP1332GEV-HF图片预览
    型号： AP1332GEV-HF
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 更低的栅极电荷，门Pateded二极管 [Lower Gate Charge, Gate Pateded Diode]
    分类和应用： 晶体栅极二极管小信号场效应晶体管开关光电二极管
    文件页数/大小： 4 页 / 64 K
    品牌： A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
     浏览型号AP1332GEV-HF的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AP1332GEV-HF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AP1332GEV-HF的Datasheet PDF文件第3页  
    AP1332GEV-HF
    5
    80
    f=1.0MHz
    I
    D
    =0.4A
    V
    DS
    =10V
    V
    GS
    ，门源电压（ V）
    4
    60
    3
    C（ pF）的
    C
    国际空间站
    40
    2
    20
    1
    C
    OSS
    C
    RSS
    0
    0
    0.0
    0.4
    0.8
    1.2
    1.6
    1
    5
    9
    13
    17
    21
    25
    Q
    G
    ，总栅极电荷（ NC）
    V
    DS
    ，漏极至源极电压（ V）
    图7.栅极电荷特性
    图8.典型的电容特性
    10
    1
    归热响应（R
    thJA
    )
    占空比系数= 0.5
    0.2
    1
    操作在此
    面积受限
    R
    DS （ ON）
    I
    D
    (A)
    100us
    0.1
    0.05
    0.1
    0.02
    0.01
    1ms
    0.1
    P
    DM
    t
    单脉冲
    T
    占空比系数= T / T
    PEAK牛逼
    j
    = P
    DM
    个R
    thJA
    + T
    a
    T
    A
    =25
    o
    C
    单脉冲
    0.01
    0.01
    0.1
    1
    10
    10ms
    100ms
    1s
    DC
    100
    0.01
    0.0001
    0.001
    0.01
    0.1
    1
    10
    100
    1000
    V
    DS
    ，漏极至源极电压（ V）
    T，脉冲宽度（S ）
    图9.最高安全工作区
    图10.有效的瞬态热阻抗
    4
    0.6
    V
    DS
    =5V
    T
    j
    =-40
    o
    C
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    3
    T
    j
    =150
    o
    C
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    o
    T
    j
    =25 C
    0.5
    0.4
    2
    0.3
    0.2
    1
    0.1
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    V
    GS
    ，栅 - 源极电压（ V）
    T
    A
    ，环境温度（
    o
    C )
    图11.传输特性
    图12.最大连续漏极电流
    V.S.环境温度
    4

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