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AP1332GEV-HF 参数 Datasheet PDF下载

AP1332GEV-HF图片预览
型号: AP1332GEV-HF
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内容描述: 更低的栅极电荷,门Pateded二极管 [Lower Gate Charge, Gate Pateded Diode]
分类和应用: 晶体栅极二极管小信号场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 4 页 / 64 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP1332GEV-HF
4
3.2
T
A
=25 C
I
D
,漏电流( A)
3
o
5.0V
4.5V
3.5V
I
D
,漏电流( A)
2.4
T
A
= 150 C
o
5.0V
4.5V
3.5V
2
2.5V
1.6
2.5V
V
G
= 1.8V
0.8
1
V
G
= 1.8V
0
0
1
2
3
4
5
6
0.0
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
1200
1.8
I
D
= 0.2 A
T
A
=25
o
C
1000
1.6
I
D
=0.4A
V
G
=4.5V
归一化ř
DS ( ON)
1.4
R
DS ( ON)
(m
Ω
)
800
1.2
600
1.0
400
0.8
200
0
1
2
3
4
5
6
0.6
-50
0
50
100
150
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
T
j
,结温( C)
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
2
2
I
D
=250uA
1.6
1.6
I
S
(A)
1.2
归V
GS ( TH)
1.6
1.2
T
j
=150
o
C
0.8
T
j
=25
o
C
0.8
0.4
0.4
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0
-50
0
50
100
150
V
SD
,源极到漏极电压(V )
T
j
,结温( C)
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3