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AP1332GEV-HF 参数 Datasheet PDF下载

AP1332GEV-HF图片预览
型号: AP1332GEV-HF
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内容描述: 更低的栅极电荷,门Pateded二极管 [Lower Gate Charge, Gate Pateded Diode]
分类和应用: 晶体栅极二极管小信号场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 4 页 / 64 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP1332GEV-HF
无卤素产品
先进的电源
电子股份有限公司
低栅极电荷
门Pateded二极管
封装尺寸小
符合RoHS &无卤
SC-75
D
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
S
G
20V
0.9Ω
450mA
D
I
D
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供设计师
快速切换的最佳组合,低导通电阻和成本
有效性。
SC- 75, 1.6x1.6mm非常小的尺寸和适合手持
应用程序。
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1
总功耗
存储温度范围
工作结温范围
等级
20
+6
450
360
1
0.35
-55到150
-55到150
单位
V
V
mA
mA
A
W
热数据
符号
Rthj -A
参数
最大热阻,结到环境
3
价值
420
单位
℃/W
1
201204252
数据和规格如有变更,恕不另行通知