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    AP12L02H 参数 Datasheet PDF下载

    AP12L02H图片预览
    型号： AP12L02H
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 6 页 / 83 K
    品牌： A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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    AP12L02H/J  
    f=1.0MHz  
    12  
    1000  
    100  
    10  
    I D =6A  
    9
    VDS =12V  
    DS =16V  
    VDS =20V  
    V
    Ciss  
    6
    Coss  
    3
    Crss  
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    1
    8
    15  
    22  
    29  
    VDS (V)  
    Q G , Total Gate Charge (nC)  
    Fig 9. Gate Charge Characteristics  
    Fig 10. Typical Capacitance Characteristics  
    3
    2.5  
    2
    100  
    10  
    1
    Tj=150 o C  
    Tj=25 o C  
    1.5  
    1
    0.1  
    -50  
    0
    50  
    100  
    150  
    0
    0.5  
    1
    1.5  
    V SD (V)  
    T j , Junction Temperature ( o C )  
    Fig 11. Forward Characteristic of  
    Reverse Diode  
    Fig 12. Gate Threshold Voltage v.s.  
    Junction Temperature  

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