VG36646141BT-7 参数 Datasheet PDF下载

型号：	VG36646141BT-7
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内容描述：	CMOS同步动态RAM [CMOS Synchronous Dynamic RAM]
分类和应用：
文件页数/大小：	70 页 / 973 K
品牌：	VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]

Preliminary

VG36641641BT

CMOS Synchronous Dynamic RAM

VIS

A. C Characteristics : (Ta = 0 to 70°C V = 3.3V ± 0.3V = 0V)

Test Conditions for LVTTL Compatible :

AC input Levels (V_IH/V_IL)

2.0/0.8V

1ns

Input timing reference level/

Output timing reference level

1.4V

Input rise and fall time

Output load condition

50pF

1.4V

AC Test Load Circuits (for LVTTL interface) :

V_DDQ

V_OUT

DDQ

Z = 50

Device

Under

Test

50PF

Document : 1G5-0127

Rev2

Page6

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