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30-F212R6A050SC-M447E 参数 Datasheet PDF下载

30-F212R6A050SC-M447E图片预览
型号: 30-F212R6A050SC-M447E
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内容描述: [IGBT4 technology for low saturation losses]
分类和应用: 双极性晶体管
文件页数/大小: 18 页 / 2403 K
品牌: VINCOTECH [ VINCOTECH ]
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30-F212R6A050SC-M447-E-PM  
30-F212R6A050SC01-M447E10-PM  
Maximum Ratings  
Tj=25°C, unless otherwise specified  
Condition  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
D1,D2,D3,D4,D5,D6  
VRRM  
IF  
IFRM  
Ptot  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
DC forward current  
1200  
V
A
Th=80°C  
Tc=80°C  
49  
64  
Tj=Tjmax  
tp limited by Tjmax  
Tj=Tjmax  
Repetitive peak forward current  
Power dissipation per Diode  
Maximum Junction Temperature  
70  
A
Th=80°C  
Tc=80°C  
100  
151  
W
°C  
Tjmax  
175  
Thermal Properties  
Tstg  
Top  
Storage temperature  
-40…+125  
°C  
°C  
Operation temperature under switching condition  
-40…+(Tjmax - 25)  
Insulation Properties  
Insulation voltage  
Vis  
t=2s  
DC voltage  
4000  
min 12,7  
min 12,7  
>200  
V
Creepage distance  
Clearance  
mm  
mm  
Comparative tracking index  
CTI  
Copyright by Vincotech  
2
Revision: 1