欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

UM4599 参数 Datasheet PDF下载

UM4599图片预览
型号: UM4599
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: N和P沟道增强型功率MOSFET [N- AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 3065 K
品牌: UNITPOWER [ ShenZhen XinDeYi Electronics Co., Ltd. ]
 浏览型号UM4599的Datasheet PDF文件第1页浏览型号UM4599的Datasheet PDF文件第2页浏览型号UM4599的Datasheet PDF文件第3页浏览型号UM4599的Datasheet PDF文件第5页浏览型号UM4599的Datasheet PDF文件第6页浏览型号UM4599的Datasheet PDF文件第7页浏览型号UM4599的Datasheet PDF文件第8页浏览型号UM4599的Datasheet PDF文件第9页  
UM4599  
Typical Characteristics : Q1( N-channel )  
Brekdown Voltage vs Ambient Temperature  
Typical Output Characteristics  
1.4  
1.2  
1
20  
10V, 9V, 8V, 7V, 6V, 5V, 4V  
15  
10  
0.8  
0.6  
0.4  
VGS=3V  
5
0
μ
ID=250 A,  
V
GS=0V  
-60  
-20  
20  
60  
100  
140  
180  
0
1
2
3
4
5
VDS, Drain-Source Voltage(V)  
Tj, Junction Temperature(°C)  
Static Drain-Source On-State resistance vs Drain Current  
Reverse Drain Current vs Source-Drain Voltage  
1000  
1.2  
1
VGS=2.5V  
Tj=25°C  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
VGS=3V  
100  
VGS=4.5V  
Tj=150°C  
VGS=10V  
10  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
0
2
4
6
8
10  
ID, Drain Current(A)  
IDR, Reverse Drain Current(A)  
Drain-Source On-State Resistance vs Junction Tempearture  
VGS=10V, ID=4.5A  
Static Drain-Source On-State Resistance vs Gate-Source  
Voltage  
2
100  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
1.8  
1.6  
1.4  
1.2  
1
ID=4.5A  
0.8  
0.6  
0.4  
RDS(ON)@Tj=25°C : 36mΩ typ.  
-60 -40 -20  
0
20 40 60 80 100 120 140 160  
0
2
4
6
GS, Gate-Source Voltage(V)  
8
10  
V
Tj, Junction Temperature(°C)  
4