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STK14EC16-BF45I 参数 Datasheet PDF下载

STK14EC16-BF45I图片预览
型号: STK14EC16-BF45I
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内容描述: 256Kx16自动存储的nvSRAM [256Kx16 AutoStore nvSRAM]
分类和应用: 存储静态存储器
文件页数/大小: 21 页 / 401 K
品牌: SIMTEK [ SIMTEK CORPORATION ]
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Preliminary  
STK14EC16  
1
2
3
4
5
6
NC  
1
A17  
A16  
A15  
54  
53  
52  
51  
50  
49  
48  
47  
46  
45  
HSB  
NC  
A17  
A0  
1
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
NC  
A0  
2
A1  
A2  
2
3
LB  
G
A0  
A3  
A1  
A4  
A2 NC  
DQ0  
A
B
C
D
E
F
3
A1  
4
A16  
A3  
A4  
A2  
A3  
A15  
5
G
4
DQ8 UB  
E
6
G
UB  
5
A4  
E
7
UB  
DQ9 DQ10 A5  
VSS DQ11 A17  
A6 DQ1 DQ2  
A7 DQ3 VCC  
6
LB  
E
DQ0  
LB  
8
DQ15  
DQ14  
DQ13  
DQ12  
7
DQ0  
DQ15  
DQ14  
9
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ1  
DQ2  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
26  
27  
8
DQ13  
DQ12  
VSS  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
9
VCC DQ12  
DQ14 DQ13  
VCAP A16 DQ4 VSS  
A14 A15 DQ5 DQ6  
DQ3  
VCC  
VSS  
(TOP)  
(TOP)  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
VCC  
VSS  
VSS  
VCC  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
VCC  
DQ11  
DQ4  
G
DQ15 HSB A12 A13  
NC A8  
A9 A10  
(TOP)  
W
DQ7  
NC  
DQ11  
DQ10  
DQ9  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQ10  
DQ9  
DQ8  
DQ8  
H
A11  
W
A5  
VCAP  
A14  
A6  
A7  
A8  
A13  
VCAP  
A14  
A13  
A12  
A11  
W
A5  
48-Ball FBGA  
A12  
A11  
A10  
NC  
NC  
NC  
A6  
A7  
A8  
A9  
NC  
NC  
NC  
A9  
A10  
44-Pin TSOP-II  
54-Pin TSOP-II  
(See full mechanical drawings on pages 18 – 20)  
PIN DESCRIPTIONS  
Pin Name  
-A  
I/O  
Description  
Address: The 18 address inputs select one of 262,144 words in the nvSRAM array  
Data: Bi-directional 16-bit data bus for accessing the nvSRAM  
A
Input  
I/O  
17  
0
DQ -DQ  
15  
0
E
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Chip Enable: The active low E input selects the device  
LB  
UB  
W
G
Byte Write Select Input: Controls DQ7-DQ0 (unselected byte will not write or read).  
Byte Write Select Input: Controls DQ15-DQ8 (unselected byte will not write or read).  
Write Enable: The active low W enables data on the DQ pins to be written to the address location latched by the falling edge of E  
Output Enable: The active low G input enables the data output buffers during read cycles. De-asserting G high causes the DQ pins  
to tri-state.  
V
Power Supply  
I/O  
Power: 3.0V +20%, -10%  
CC  
HSB  
Hardware Store Busy: When low this output indicates a Store is in progress (also low during power up while busy). When pulled  
low external to the chip, it will initiate a nonvolatile STORE operation. A weak pull up resistor keeps this pin high if not connected.  
(Connection Optional).  
V
V
Power Supply  
Autostore Capacitor: Supplies power to the nvSRAM during a power loss to store data from SRAM to nonvolatile storage ele-  
ments.  
CAP  
Power Supply  
No Connect  
Ground  
SS  
NC  
This pin is not connected to the die. (Do not connect in design; reserved for future use)  
3
Rev 1.1  
Document Control #ML0061  
Jan, 2008  
Simtek Confidential