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    P3C125612JC 参数 Datasheet PDF下载

    P3C125612JC图片预览
    型号： P3C125612JC
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    内容描述： 高速32K ×8 3.3V CMOS静态RAM [HIGH SPEED 32K x 8 3.3V STATIC CMOS RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 10 页 / 266 K
    品牌： PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
     浏览型号P3C125612JC的Datasheet PDF文件第2页浏览型号P3C125612JC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号P3C125612JC的Datasheet PDF文件第4页浏览型号P3C125612JC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号P3C125612JC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号P3C125612JC的Datasheet PDF文件第8页浏览型号P3C125612JC的Datasheet PDF文件第9页浏览型号P3C125612JC的Datasheet PDF文件第10页  
    P3C1256  
    DATA RETENTION CHARACTERISTICS  
    Typ.*  
    VCC  
    2.0V  
    Max  
    VCC  
    2.0V  
    Symbol  
    Parameter  
    Test Conditons  
    Min  
    Unit  
    =
    3.0V  
    =
    3.0V  
    V
    VDR  
    VCC for Data Retention  
    Data Retention Current  
    2.0  
    10  
    ICCDR  
    tCDR  
    15  
    600  
    900  
    µA  
    ns  
    CE ≥ VCC –0.2V,  
    VIN ≥ VCC –0.2V  
    or VIN ≤ 0.2V  
    Chip Deselect to  
    Data Retention Time  
    0
    §
    †
    tRC  
    tR  
    Operation Recovery Time  
    ns  
    *TA = +25°C  
    §tRC = Read Cycle Time  
    † This parameter is guaranteed but not tested.  
    DATA RETENTION WAVEFORM  
    TSOP PIN CONFIGURATION  
    Document # SRAM122 REV B  
    Page 7 of 10  

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