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P3C1024L-55SC 参数 Datasheet PDF下载

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型号: P3C1024L-55SC
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内容描述: [Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 0.445 INCH, PLASTIC, SOP-32]
分类和应用: 静态存储器光电二极管内存集成电路
文件页数/大小: 10 页 / 547 K
品牌: PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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P3C1024L - ULTRA LOW POWER 128K X 8 CMOS STATIC RAM  
DATA RETENTION  
Symbol Parameter  
Test Conditions  
Min Max Unit  
CE1 ≥ VCC -0.2V, CE2 ≤ 0.2V,  
VIN ≥ VCC -0.2V or VIN ≤ 0.2V  
VDR  
VCC for Data Retention  
2.0  
V
(1)  
ICCDR  
tCDR  
tR  
Data Retention Current  
VDR = 2.0V  
10  
µA  
ns  
Chip Deselect to Data Retention Time  
Operating Recovery Time(2)  
See Retention Waveform  
0
100  
µA  
1. CE1 VDR -0.2V, CE2 VDR -0.2V or CE2 0.2V; or CE1 0.2V, CE2 0.2V; VIN VDR -0.2V or VIN 0.2V  
LOW VCC DATA RETENTION WAVEFORM 1 (CE1 CONTROLLED)  
LOW VCC DATA RETENTION WAVEFORM 2 (CE2 CONTROLLED)  
Document # SRAM132 REV A  
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