欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

PSHI50-12 参数 Datasheet PDF下载

PSHI50-12图片预览
型号: PSHI50-12
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: IGBT模块 [IGBT Module]
分类和应用: 双极性晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 132 K
品牌: POWERSEM [ POWERSEM GMBH ]
 浏览型号PSHI50-12的Datasheet PDF文件第1页浏览型号PSHI50-12的Datasheet PDF文件第2页浏览型号PSHI50-12的Datasheet PDF文件第4页  
PSHI 50/12  
80  
80  
VGE = 17V  
A
A
VGE = 17 V  
15V  
IC  
15 V  
IC 60  
60  
13V  
13 V  
11V  
11V  
9V  
40  
20  
0
40  
20  
0
TVJ = 25°C  
9V  
TVJ = 125°C  
42T120  
42T120  
V
V
7
0
1
2
3
4
5
6
7
0
1
2
3
4
5
6
VCE  
VCE  
Fig. 1 Typ. output characteristics  
Fig. 2 Typ. output characteristics  
50  
80  
A
A
IF  
60  
IC  
VCE = 20V  
30  
20  
10  
0
TVJ = 125°C  
TVJ = 25°C  
40  
20  
0
T
VJ = 125°C  
6
TVJ = 25°C  
10  
42T120  
42T120  
V
0
1
2
3
4
4
8
12  
VGE  
14  
16  
V
VF  
Fig. 3 Typ. transfer characteristics  
Fig. 4 Typ. forward characteristics of  
free wheeling diode  
50  
A
30  
20  
10  
0
200  
20  
V
trr  
1
ns  
trr  
15  
IRM  
VGE  
120  
80  
40  
0
10  
5
TVJ = 125°C  
VCE = 600V  
V
R = 600 V  
IC  
= 25A  
IF = 15 A  
IRM  
42T120  
42T120  
0
0
200  
400  
600  
-di/dt  
A/µs 1000  
0
40  
80  
120 nC 160  
QG  
Fig. 5 Typ. turn on gate charge  
Fig. 6 Typ. turn off characteristics of  
free wheeling diode  
2002 POWERSEM reserves the right to change limits, test conditions and dimensions  
POWERSEM GmbH, Walpersdorfer Str. 53  
D - 91126 Schwabach  
Phone: 09122 - 9764 - 0 FAX: 09122 - 9764 - 20