Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FP40R12KT3
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (IŒ)
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (R•)
R•ÓÒ = 27 Â, V†Š = 600 V, TÝÎ = 125°C
IŒ = 40 A, V†Š = 600 V, TÝÎ = 125°C
5,0
5,0
4,5
4,0
3,5
3,0
2,5
2,0
1,5
1,0
0,5
0,0
EØþÊ
4,5
4,0
3,5
3,0
2,5
2,0
1,5
1,0
0,5
0,0
EØþÊ
0
10
20
30
40
IŒ [A]
50
60
70
80
0
10
20
30
R• [Â]
40
50
60
Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.
transient thermal impedance diode-inverter
ZÚÌœ† = f (t)
Durchlaßkennlinie der Diode-Gleichrichter (typisch)
forward characteristic of diode-rectifier (typical)
IŒ = f (VŒ)
1
80
ZÚÌœ† : Diode
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 150°C
70
60
50
40
30
20
10
0
0,1
i:
rÍ[K/W]: 0,09674 0,6249 0,18
0,003333 0,03429 0,1294 0,7662
1
2
3
4
0,05701
τÍ[s]:
0,01
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8
VŒ [V]
prepared by: Andreas Schulz
approved by: Robert Severin
date of publication: 2003-7-8
revision: 2.0
8