Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FF800R12KE3
vorläufige Daten
preliminary data
Thermische Eigenschaften / thermal properties
min.
typ.
-
max.
0,016
0,032
Transistor, DC, pro Modul / per module
Innerer Wärmewiderstand
RthJC
-
-
-
-
-
-
K/W
K/W
K/W
K/W
K/W
K/W
thermal resistance, junction to case
Transistor, DC, pro Zweig / per arm
Diode/Diode, DC, pro Modul / per module
Diode/Diode, DC, pro Zweig / per arm
-
-
0,032
-
0,064
0,006
0,012
-
-
pro Modul / per module
pro Zweig/ per arm;ꢃPaste/ꢃgrease =1W/m*K
Übergangs Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
RthCK
Tvj max
Tvj op
Tstg
Höchstzulässige Sperrschichttemp.
maximum junction temperature
-
-
-
-
150
125
125
°C
°C
°C
Betriebstemperatur
operation temperature
-40
-40
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation
Al2O3
Kriechstrecke
32
mm
mm
creepage distance
Luftstrecke
clearance
20
CTI
>400
comperative tracking index
Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung
Schraube / screw M5
M
M
M
G
4,25
1,7
8
-
5,75
2,3
10
Nm
Nm
Nm
g
mounting torque
Anzugsdrehmoment, elektr. Anschlüsse
Anschlüsse / terminal M4
-
-
terminal connection torque
Anschlüsse / terminal M8
Gewicht
weight
1500
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine
Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid
with the belonging technical notes.
DB_FF800R12KE3_2.0.xls
2002-07-30
3 (8)
EUPEC [ EUPEC GMBH ]
