Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FF800R12KE3
vorläufige Daten
preliminary data
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Kollektor Emitter Sperrspannung
collector emitter voltage
Kollektor Dauergleichstrom
DC collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt Verlustleistung
total power dissipation
Gate Emitter Spitzenspannung
gate emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current
Grenzlastintegral
I²t value
Isolations Prüfspannung
insulation test voltage
t
p
= 1ms
V
R
= 0V, t
p
= 10ms, T
vj
= 125°C
T
vj
= 25°C
T
c
= 80°C
T
c
= 25°C
t
p
= 1ms, T
c
= 80°C
T
c
= 25°C; Transistor
V
CES
I
C, nom
I
C
I
CRM
P
tot
V
GES
I
F
I
FRM
1200
800
1200
1600
V
A
A
A
3,9
kW
+/- 20
V
800
A
1600
A
I²t
140
k A²s
RMS, f= 50Hz, t= 1min.
V
ISOL
2,5
kV
Charakteristische Werte / characteristic values
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
Kollektor Emitter Sättigungsspannung
collector emitter satration voltage
Gate Schwellenspannung
gate threshold voltage
Gateladung
gate charge
Eingangskapazität
input capacitance
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
Kollektor Emitter Reststrom
collector emitter cut off current
Gate Emitter Reststrom
gate emitter leakage current
I
C
= 800A, V
GE
= 15V, T
vj
= 25°C,
I
C
= 800A, V
GE
= 15V, T
vj
= 125°C,
I
C
= 32mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C,
V
GE
= -15V...+15V; V
CE
=...V
f= 1MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
f= 1MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
V
GE
= 0V, T
vj
= 25°C, V
CE
= 1200V
V
CE
= 0V, V
GE
= 20V, T
vj
= 25°C
V
CEsat
V
GE(th)
Q
G
C
ies
C
res
I
CES
I
GES
min.
-
-
5
typ.
1,7
2
5,8
max.
2,15
t.b.d.
6,5
V
V
V
-
7,7
-
µC
-
57
-
nF
-
2,7
-
nF
-
-
5
mA
-
-
400
nA
prepared by: MOD-D2; Mark Münzer
approved: SM TM; Christoph Lübke
date of publication: 2002-07-30
revision: 2.0
1 (8)
DB_FF800R12KE3_2.0.xls
2002-07-30
EUPEC [ EUPEC GMBH ]
