Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM 200 GB 170 DLC
Transienter Wärmewiderstand
Transient thermal impedance
ZthJC = f (t)
1
0,1
0,01
Zth:Diode
Zth:IGBT
0,001
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [sec]
1
2
3
4
i
ri [K/kW]
τi [sec]
8,37
24,21
36,07
0,0613
6,35
: IGBT
0,0047
0,0356
0,4669
: IGBT
: Diode
ri [K/kW]
27,92
55,32
55,32
11,45
τi [sec]
: Diode
0,0062
0,0473
0,0473
0,2322
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
Reverse bias safe operation area (RBSOA)
Rg = 7,5 Ohm, Tvj= 125°C
450
400
350
300
250
200
150
100
50
IC,Modul
IC,Chip
0
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
VCE [V]
7(8)
BSM200GB170DLC