Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM 200 GB 170 DLC
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
min.
typ. max.
RthJC
Transistor / transistor, DC
Diode/Diode, DC
-
-
-
-
0,075
0,15
K/W
K/W
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Modul / per Module
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
RthCK
-
-
-
-
-
0,012
150
K/W
°C
d
Paste ≤ 50µm / dgrease ≤ 50µm
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj
-
Betriebstemperatur
operation temperature
Top
-40
-40
125
°C
Lagertemperatur
storage temperature
Tstg
125
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation
Al2O3
20
Kriechstrecke
creepage distance
mm
mm
Luftstrecke
clearance
11
CTI
comperative tracking index
max.
5
5
Nm
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
terminals M6
max.
G
Nm
g
Gewicht
weight
420
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.
3(8)
BSM200GB170DLC
EUPEC [ EUPEC GMBH ]
