Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM200GB120DLC
vorläufige Daten
preliminary data
Transienter Wärmewiderstand
Transient thermal impedance
ZthJC = f (t)
1
0,1
Zth:Diode
Zth:IGBT
0,01
0,001
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [sec]
1
2
3
4
i
ri [K/kW]
: IGBT
: IGBT
: Diode
: Diode
40,08
0,006
49,13
0,006
30,51
19,37
0,043
37,92
0,033
0,04
τi [sec]
ri [K/kW]
τi [sec]
0,029
73,21
0,035
1,014
19,74
0,997
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
Reverse bias safe operation area (RBSOA)
VGE = 15V, Rg = 4,7 Ohm, Tvj= 125°C
450
400
350
300
250
200
150
100
50
IC,Modul
IC,Chip
0
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
VCE [V]
7(8)
DB_BSM200GB120DLC.xls
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