Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM200GB120DLC
vorläufige Daten
preliminary data
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
min. typ. max.
RthJC
Transistor / transistor, DC
Diode/Diode, DC
-
-
-
-
0,09
0,18
K/W
K/W
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Modul / per module
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
RthCK
-
0,01
-
K/W
°C
λΠαστε = 1 W/m * K
/
λgrease = 1 W/m * K
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj
-
-
-
-
150
125
150
Betriebstemperatur
operation temperature
Top
-40
-40
°C
Lagertemperatur
storage temperature
Tstg
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation
AL2O3
20
Kriechstrecke
creepage distance
mm
mm
Luftstrecke
clearance
11
CTI
275
comperative tracking index
M1
M2
3
6
5
Nm
Nm
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
terminals M6
2,5
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
Gewicht
weight
G
420
g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.
3(8)
DB_BSM200GB120DLC.xls
EUPEC [ EUPEC GMBH ]
