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    M14D5121632A-3BIG2H 参数 Datasheet PDF下载

    M14D5121632A-3BIG2H图片预览
    型号： M14D5121632A-3BIG2H
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [DDR DRAM, 32MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, BGA-84]
    分类和应用： 动态存储器双倍数据速率内存集成电路
    文件页数/大小： 62 页 / 1001 K
    品牌： ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
     浏览型号M14D5121632A-3BIG2H的Datasheet PDF文件第1页浏览型号M14D5121632A-3BIG2H的Datasheet PDF文件第2页浏览型号M14D5121632A-3BIG2H的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M14D5121632A-3BIG2H的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M14D5121632A-3BIG2H的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M14D5121632A-3BIG2H的Datasheet PDF文件第7页浏览型号M14D5121632A-3BIG2H的Datasheet PDF文件第8页浏览型号M14D5121632A-3BIG2H的Datasheet PDF文件第9页  
    ESMT  
    M14D5121632A (2H)  
    Operation Temperature Condition (TC) -40°C~95°C  
    BALL CONFIGURATION (TOP VIEW)  
    (BGA84, 8mmX12.5mmX1.2mm Body, 0.8mm Ball Pitch)  
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    NC  
    Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
    Publication Date : Aug. 2011  
    Revision : 1.1 3/62  

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