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M13S64164A-5BG2Y 参数 Datasheet PDF下载

M13S64164A-5BG2Y图片预览
型号: M13S64164A-5BG2Y
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内容描述: [DDR DRAM, 4MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, BGA-60]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率内存集成电路
文件页数/大小: 49 页 / 1218 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT  
M13S64164A (2Y)  
Functional Block Diagram  
CLK  
Clock  
Generator  
Bank D  
Bank C  
CLK  
CKE  
Bank B  
Row  
Address, BA  
Address  
Buffer  
&
Refresh  
Counter  
Mode Register &  
Extended Mode  
Register  
Bank A  
DM  
DQS  
Sense Amplifier  
Column Decoder  
Column  
Address  
Buffer  
&
Refresh  
Counter  
CS  
RAS  
CAS  
WE  
Data Control Circuit  
DQ  
DLL  
CLK, CLK  
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
Publication Date : Apr. 2012  
Revision : 1.0 2/49