欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

M13S5121632A-5TG2A 参数 Datasheet PDF下载

M13S5121632A-5TG2A图片预览
型号: M13S5121632A-5TG2A
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: [DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-66]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
文件页数/大小: 47 页 / 969 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
 浏览型号M13S5121632A-5TG2A的Datasheet PDF文件第1页浏览型号M13S5121632A-5TG2A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号M13S5121632A-5TG2A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M13S5121632A-5TG2A的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M13S5121632A-5TG2A的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M13S5121632A-5TG2A的Datasheet PDF文件第7页浏览型号M13S5121632A-5TG2A的Datasheet PDF文件第8页浏览型号M13S5121632A-5TG2A的Datasheet PDF文件第9页  
ESMT  
M13S5121632A (2A)  
Functional Block Diagram  
UDQS, LDQS  
DQ0 - 15  
DLL  
I/O Buffer  
DQS Buffer  
Memory  
Array  
Memory  
Array  
Memory  
Array  
Memory  
Array  
Bank#0  
Bank#1  
Bank#2  
Bank#3  
Mode Register  
Control Circuitry  
Address Buffer  
Control Signal Butter  
Clock Buffer  
DM  
A0-12 BA0,1  
CAS WE  
RAS  
CS  
CLK  
CKE  
CLK  
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
Publication Date : May 2012  
Revision : 1.1 2/47