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M13S128324A-3.6BG 参数 Datasheet PDF下载

M13S128324A-3.6BG图片预览
型号: M13S128324A-3.6BG
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内容描述: 1M ×32位×4银行双倍数据速率SDRAM [1M x 32 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 49 页 / 867 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT  
M13S128324A  
Pin Arrangement  
A
7
6
81  
50  
DQ29  
VSSQ  
82  
83  
84  
A
49  
48  
A
A
V
A
5
DQ30  
DQ31  
4
47  
46  
VSS  
85  
86  
SS  
9
VDDQ  
45  
44  
43  
42  
41  
87  
88  
N.C  
N.C  
N.C  
N.C  
N.C  
N.C  
N.C  
N.C  
N.C  
N.C  
100 Pin LQFP  
Forward Type  
20 x 14 mm  
89  
90  
40  
39  
91  
92  
93  
94  
95  
VSSQ  
N.C  
N.C  
A11  
A10  
0.65 mmpin Pitch  
N.C  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
DQS  
VDDQ  
VDD  
V
DD  
96  
97  
98  
99  
100  
A
3
DQ0  
DQ1  
A
2
1
VSSQ  
A
DQ2  
A0  
Pin Description  
(M13S128324A)  
Pin Name  
Function  
Pin Name  
Function  
Address inputs  
- Row address A0~A11  
A0~A11,  
BA0,BA1  
- Column address A0~A7  
A8/AP : AUTO Precharge  
BA0, BA1 : Bank selects (4 Banks)  
DM0~DM3  
DQ Mask enable in write cycle.  
Clock input  
DQ0~DQ31  
Data-in/Data-out  
CLK, CLK  
CKE  
Row address strobe  
Column address strobe  
Write enable  
Clock enable  
RAS  
CAS  
Chip select  
CS  
VDDQ  
VSSQ  
VREF  
Supply Voltage for GDQ  
Ground for DQ  
WE  
VSS  
Ground  
VDD  
Power  
Reference Voltage for SSTL  
Bi- directional Data Strobe.  
DQS0 correspond to the data on DQ0~DQ7.  
DQS1 correspond to the data on DQ8~DQ15.  
DQS2 correspond to the data on DQ16~DQ23.  
DQS3 correspond to the data on DQ24~DQ31.  
DQS0~DQS3  
(for FBGA)  
NC  
-
No connection  
DQS  
-
Bi- directional Data Strobe.  
(for LQFP)  
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
Publication Date : May. 2007  
Revision : 1.8  
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