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BTD1864AI3 参数 Datasheet PDF下载

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型号: BTD1864AI3
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内容描述: 低VCESAT NPN外延平面晶体管 [Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 153 K
品牌: CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
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Spec. No. : C849I3  
Issued Date : 2003.04.18  
Revised Date :  
CYStech Electronics Corp.  
Page No. : 3/4  
Characteristic Curves  
Saturation Voltage vs Collector Current  
Current Gain vs Collector Current  
1000  
1000  
100  
10  
VCE=2V  
VCESAT@IC=20IB  
1
100  
1
10  
100  
1000  
1
10  
100  
1000  
10000  
Collector Current---IC(mA)  
Collector Current---IC(mA)  
Saturation Voltage vs Collector Current  
Power Derating Curve  
1000  
16  
14  
12  
10  
8
VBESAT@IC=10IB  
6
4
2
100  
0
0.1  
1
10  
100  
1000  
0
50  
100  
150  
200  
Collector Current---IC(mA)  
Case Temperature---TC(℃)  
Power Derating Curve  
1.2  
1
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
0
50  
100  
150  
Ambient Temperature---TA(℃)  
200  
BTD1864AI3  
CYStek Product Specification