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BTD1864AI3 参数 Datasheet PDF下载

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型号: BTD1864AI3
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内容描述: 低VCESAT NPN外延平面晶体管 [Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 153 K
品牌: CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
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Spec. No. : C849I3  
Issued Date : 2003.04.18  
Revised Date :  
CYStech Electronics Corp.  
Page No. : 2/4  
Characteristics (Ta=25°C)  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Test Conditions  
IC=50µA, IE=0  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
ICBO  
40  
30  
5
-
-
V
-
-
V
IC=1mA, IB=0  
IE=50µA, IC=0  
VCB=30V. IE=0  
VEB=4V,IC=0  
IC=2A, IB=0.2A  
IC=2A, IB=0.2A  
-
-
V
-
-
1
µA  
µA  
V
IEBO  
-
-
0.25  
-
1
*VCE(sat)  
*VBE(sat)  
*hFE1  
*hFE2  
*hFE3  
fT  
-
0.5  
2
-
V
52  
82  
82  
-
-
-
-
VCE=2V, IC=20mA  
VCE=2V, IC=0.1A  
-
560  
-
-
-
-
VCE=2V, IC=1A  
90  
45  
-
-
MHz  
pF  
VCE=5V, IC=0.1A, f=100MHz  
VCB=10V, f=1MHz  
Cob  
-
*Pulse Test : Pulse Width 380us, Duty Cycle2%  
Classification Of hFE2  
Rank  
P
Q
R
S
Range  
82~180  
120~270  
180~390  
270~560  
BTD1864AI3  
CYStek Product Specification