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BTB772NUJ3-P-T3-G 参数 Datasheet PDF下载

BTB772NUJ3-P-T3-G图片预览
型号: BTB772NUJ3-P-T3-G
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内容描述: [Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 324 K
品牌: CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
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Spec. No. : C631J3  
Issued Date : 2017.10.06  
Revised Date:  
CYStech Electronics Corp.  
Page:4/7  
Typical Characteristics(Cont.)  
Saturation Voltage vs Collector Current  
Saturation Voltage vs Collector Current  
10000  
1000  
100  
1000  
100  
10  
-40°C  
0°C  
VBE(SAT)@IC=10IB  
VCE(SAT) @ IC=10IB  
25°C  
75°C  
125°C  
125°C  
75°C  
25°C  
0°C  
-40°C  
1
1
10  
-
100  
IC, Collector Current(mA)  
1000  
10000  
1
10  
-
100  
IC, Collector Current(mA)  
1000  
10000  
Saturation Voltage vs Collector Current  
Capacitance vs Reverse-Biased Voltage  
10000  
1000  
100  
1000  
100  
10  
-40°C  
VBE(ON)@VCE=-2V  
0°C  
Cib  
25°C  
75°C  
125°C  
Cob  
1
0.1  
1
10  
100  
1
10  
100  
IC, Collector Current(mA)  
1000  
10000  
-
-
VR, Reverse-Biased Voltage(V)  
Power Derating Curve  
Power Derating Curve  
12  
10  
8
1.2  
1
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
6
4
2
0
0
50  
TA, Ambient Temperature(℃)  
100  
150  
200  
0
50  
100  
TC, CaseTemperature(℃)  
150  
200  
BTB772NUJ3  
CYStek Product Specification