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CEP06N5 参数 Datasheet PDF下载

CEP06N5图片预览
型号: CEP06N5
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内容描述: N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 [N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 43 K
品牌: CET [ CHINO-EXCEL TECHNOLOGY ]
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CEP06N5/CEB06N5  
15  
12  
1
V
DS=400V  
10  
I
D=6A  
Limit  
9
6
S(ON)  
RD  
4
0
10  
3
0
TC=25 C  
Tj=150 C  
Single Pulse  
-1  
10  
3
1
2
0
80  
10  
10  
0
20  
40  
60  
10  
10  
Qg, Total Gate Charge (nC)  
VDS, Drain-Source Voltage (V)  
Figure 9. Gate Charge  
Figure 10. Maximum Safe  
Operating Area  
VDD  
on  
t
toff  
d(off)  
r
t
t
d(on)  
OUT  
RL  
t
f
t
VIN  
90%  
90%  
D
OUT  
V
V
VGS  
10%  
10%  
INVERTED  
RGEN  
G
90%  
50%  
50%  
S
IN  
V
10%  
PULSE WIDTH  
Figure 12. Switching Waveforms  
Figure 11. Switching Test Circuit  
0
10  
D=0.5  
0.2  
DM  
P
0.1  
-1  
10  
10  
1
t
0.05  
2
t
0.02  
1. RįJC (t)=r (t) * RįJC  
2. RįJC=See Datasheet  
3. TJM-TC = P* RįJC (t)  
4. Duty Cycle, D=t1/t2  
0.01  
Single Pulse  
-2  
1
-5  
-3  
-2  
-1  
-4  
0
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
Square Wave Pulse Duration (sec)  
Figure 13. Normalized Thermal Transient Impedance Curve  
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