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NE6500379A 参数 Datasheet PDF下载

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型号: NE6500379A
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内容描述: 3W , L / S波段中功率的GaAs MESFET [3W, L/S-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET]
分类和应用: 晶体射频场效应晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 162 K
品牌: CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
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NE6500379A  
NONLINEAR MODEL  
Q1  
SCHEMATIC  
RDX  
LD  
LDX  
DRAIN  
0.55 nH  
0.015 nH  
0.2 ohms  
LGX  
LG  
RDBX  
GATE  
480 ohms  
0.001 nH  
0.68 nH  
CDS PKG  
0.1 pF  
CBSX  
100 pF  
CGS PKG  
0.1 pF  
RSX  
0.2 ohms  
LSX  
0.001 nH  
FET NONLINEAR MODEL PARAMETERS (1)  
SOURCE  
Parameters  
VTO  
Q1  
-2.585  
0
Parameters  
RG  
Q1  
0.2  
0.001  
0.001  
0
VTOSC  
ALPHA  
BETA  
GAMMA  
GAMMADC(2)  
Q
RD  
3
RS  
1.28  
0
RGMET  
KF  
UNITS  
0
Parameter  
Units  
0.035  
1.7  
AF  
1
capacitance  
inductance  
resistance  
picofarads  
nanohenries  
ohms  
TNOM  
XTI  
27  
3
DELTA  
VBI  
0.02  
0.6  
EG  
1.43  
0
IS  
1e-14  
1
VTOTC  
BETATCE  
FFE  
N
0
RIS  
0
1
MODEL RANGE  
RID  
0
Frequency: 0.4 to 8 GHz  
TAU  
10e-12  
0.5e-12  
0.001  
0
Bias:  
Date:  
VDS = 3 V to 8 V, ID = 300 mA to 500 mA  
8/03  
CDS  
RDB  
CBS  
CGSO(3)  
CGDO(4)  
DELTA1  
DELTA2  
FC  
25e-12  
4.5e-12  
1
0.2  
0.5  
VBR  
Infinity  
(1) Series IV Libra TOM Model  
The parameter in Libra corresponds to the parameter in PSpice:  
(2) GAMMADC  
(3) CGSO  
GAMMA  
CGS  
(4) CGDO  
CGD