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    NE3505M04-T2 参数 Datasheet PDF下载

    NE3505M04-T2图片预览
    型号： NE3505M04-T2
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISITOR]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 20 页 / 335 K
    品牌： CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
     浏览型号NE3505M04-T2的Datasheet PDF文件第1页浏览型号NE3505M04-T2的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NE3505M04-T2的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NE3505M04-T2的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NE3505M04-T2的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NE3505M04-T2的Datasheet PDF文件第7页浏览型号NE3505M04-T2的Datasheet PDF文件第8页浏览型号NE3505M04-T2的Datasheet PDF文件第9页  
    NE3505M04  
    TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = +25 °C)  
    NE3505M04 Pin vs. Pout  
    VDD=2V, ID=15.5mA(Non-RF), f=2.4GHz  
    20  
    15  
    10  
    5
    30  
    25  
    20  
    15  
    10  
    5
    Po(1dB)=+8.5dBm  
    0
    Pout  
    Ga  
    ID  
    -5  
    -10  
    0
    0
    -25  
    -20  
    -15  
    -10  
    -5  
    Pin(dBm)  
    NE3505M04 Pin vs IM3  
    VDD=2V, ID=15.5mA(Non-RF), f=2.4GHz △f=1MHz  
    30  
    OIP3=20dBm  
    20  
    10  
    0
    -10  
    -20  
    -30  
    -40  
    -50  
    -60  
    -70  
    fH_2401  
    fL_2400  
    IMfL_2399  
    IMfH_2402  
    IIP3=3.5dBm  
    -25  
    -20  
    -15  
    -10  
    -5  
    0
    5
    10  
    Pin(dBm)  

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