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NE3505M04-T2 参数 Datasheet PDF下载

NE3505M04-T2图片预览
型号: NE3505M04-T2
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内容描述: [HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISITOR]
分类和应用:
文件页数/大小: 20 页 / 335 K
品牌: CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
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NE3505M04  
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = +25 °C)  
NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN vs. FREQUENCY  
2.0  
1.8  
1.6  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0.0  
20  
@VDS=2V  
ID=15mA  
18  
16  
14  
12  
10  
8
Ga  
6
NFmin  
4
2
0
1
10  
Frequency f (GHz)  
100  
NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN vs. DRAIN CURRENT  
NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN vs. DRAIN CURRENT  
1.0  
1.0  
20  
18  
16  
14  
12  
10  
8
20  
@VDS=2V  
@VDS=2V  
0.9  
Ga  
0.9  
18  
16  
14  
12  
10  
8
f=4GHz  
f=2.5GHz  
0.8  
0.8  
Ga  
0.7  
0.7  
0.6  
0.5  
0.4  
0.3  
0.6  
0.5  
0.4  
NFmin  
6
0.3  
6
0.2  
4
0.2  
0.1  
0.0  
4
NFmin  
0.1  
0.0  
2
2
0
0
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
Drain Current ID (mA)  
Drain Current ID (mA)  
NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN vs. DRAIN CURRENT  
1.0  
0.9  
0.8  
0.7  
0.6  
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
0.0  
20  
18  
@VDS=2V  
f=6GHz  
Ga  
16  
14  
12  
10  
8
6
NFmin  
4
2
0
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
Drain Current ID (mA)