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BS616LV2019AA-70 参数 Datasheet PDF下载

BS616LV2019AA-70图片预览

型号：	BS616LV2019AA-70
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	[Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, BGA-48]
分类和应用：	静态存储器内存集成电路
文件页数/大小：	11 页 / 163 K
品牌：	BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]

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BS616LV2019

READ CYCLE 2 ^(1,3,4)

CE

t_ACS1

CE2

(6)

t_ACS2

(5, 6)

t_CHZ

(5,6)

t_CLZ

D_OUT

READ CYCLE 3 ^{(1, 4)}

t_RC

ADDRESS

OE

t_AA

t_OH

t_OE

t_OLZ

t_ACS1

CE

(5)

t_OHZ

CE2

(6)

t_ACS2

(5,6)

(1,5,6)

t_CLZ

t_CHZ

t_BA

t_BE

LB, UB

D_OUT

t_BDO

NOTES:

1. WE is high in read Cycle.

2. Device is continuously selected when CE = V_ILand CE2= V_IH.

3. Address valid prior to or coincident with CE transition low and/or CE2 transition high.

4. OE = V_IL.

5. Transition is measured ± 500mV from steady state with C_L= 5pF.

The parameter is guaranteed but not 100% tested.

6. 48B BGA ignore this parameters related to CE2.

Revision 1.2A

Mar. 2006

R0201-BS616LV2019A

6

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