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    BH62UV1601AIG55 参数 Datasheet PDF下载

    BH62UV1601AIG55图片预览
    型号： BH62UV1601AIG55
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 超低功耗/高速CMOS SRAM [Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器
    文件页数/大小： 9 页 / 217 K
    品牌： BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BH62UV1601AIG55的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BH62UV1601AIG55的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BH62UV1601AIG55的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BH62UV1601AIG55的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BH62UV1601AIG55的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BH62UV1601AIG55的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BH62UV1601AIG55的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BH62UV1601AIG55的Datasheet PDF文件第8页  
    BH62UV1601  
    „
    Revision History  
    Revision No.  
    History  
    Draft Date  
    Remark  
    Initial  
    1.0  
    1.1  
    Initial Production Version  
    May 10,2006  
    May. 25, 2006  
    Change I-grade operation temperature range  
    O
    O
    - from –25 C to –40 C  
    1.2  
    Change -55 55ns(Max.) at VCC=1.65~3.6V to  
    55ns(Max.) at VCC=3.0V and 70ns(Max.) at  
    VCC=1.8V  
    Oct. 31, 2008  
    Typical value of standby current is replaced by  
    maximum value in Featues and Description  
    section  
    Remove “-: Normal” (Leaded) PKG Material in  
    ordering information  
    Revision  
    1.2  
    2008  
    R0201-BH62UV1601  
    9
    Oct.,  

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