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AO4706_10 参数 Datasheet PDF下载

AO4706_10图片预览
型号: AO4706_10
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内容描述: 30V N沟道MOSFET [30V N-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 213 K
品牌: AOS [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO4706  
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS  
7000  
10  
8
6000  
5000  
4000  
3000  
2000  
1000  
0
VGS=15V  
ID=17A  
Ciss  
6
4
Crss  
2
Coss  
0
0
10  
20  
30  
Qg (nC)  
Figure 7: Gate-Charge Characteristics  
40  
50  
60  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
V
DS (Volts)  
Figure 8: Capacitance Characteristics  
1000.0  
100.0  
10.0  
1.0  
100  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
10µs  
TJ(Max)=150°C  
TA=25°C  
100µ  
1ms  
0.1s  
10ms  
RDS(ON)  
limited  
DC  
0.1  
TJ(Max)=150°C  
TA=25°C  
0.0  
0.1  
1
10  
100  
1E-04 0.001 0.01  
0.1  
1
10  
100 1000  
VDS (Volts)  
Pulse Width (s)  
Figure10: Single Pulse Power Rating Junction-to-  
Ambient (Note E)  
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe  
Operating Area (Note E)  
10  
In descending order  
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse  
1
0.1  
PD  
D=Ton/T  
TJ,PK=TA+PDM.ZθJA.RθJA  
θJA=75°C/W  
0.01  
Ton  
10  
Single Pulse  
R
T
0.001  
0.00001  
0.0001  
0.001  
0.01  
0.1  
1
100  
1000  
Pulse Width (s)  
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note E)  
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.  
www.aosmd.com