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7C256-25 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 7C256-25
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内容描述: 高性能32Kx8 CMOS SRAM [High Performance 32Kx8 CMOS SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 8 页 / 128 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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AS7C256  
AS7C256L  
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS  
(T = 0°C to +70°C)  
a
Parameter  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
V
4.5  
5.0  
0.0  
5.5  
0.0  
V
V
V
V
CC  
Supply Voltage  
GND  
0.0  
V
V
2.2  
V
+1  
CC  
IH  
IL  
Input Voltage  
–0.5*  
0.8  
*V min = –3.0V for pulse width less than t /2.  
IL  
RC  
1
DC OPERATING CHARACTERISTICS  
(V = 5V±10%, GND = 0V, T = 0°C to +70°C)  
CC a  
-10  
-12  
-15  
-20  
-25  
-35  
Parameter  
Symbol Test Conditions  
Min Max Min Max Min Max Min Max Min Max Min Max Unit  
Input Leakage  
Current  
V
V
= Max,  
CC  
|I |  
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
µA  
µA  
LI  
= GND to V  
in  
CC  
Output Leakage  
Current  
CE = V , V = Max,  
IH CC  
V
|I  
|
LO  
= GND to V  
out  
CC  
120  
115  
45  
115  
110  
40  
110  
105  
30  
100  
95  
90  
85  
25  
20  
2.0  
80 mA  
75 mA  
25 mA  
20 mA  
2.0 mA  
Operating Power  
Supply Current  
CE = V , f = f  
IL  
max,  
I
CC  
I
= 0 mA  
out  
L
L
30  
I
CE = V , f = f  
max  
SB  
IH  
Standby  
Power Supply  
Current  
40  
35  
25  
25  
CE > V –0.2V, f = 0,  
2.0  
2.0  
2.0  
2.0  
CC  
I
V 0.2V or  
SB1  
in  
L
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5 mA  
V
V –0.2V  
in  
OL  
OH  
CC  
V
V
I
I
= 8 mA, V = Min  
0.4  
0.4  
0.4  
0.4  
0.4  
0.4  
V
V
OL  
OH  
CC  
Output Voltage  
= –4 mA, V = Min  
2.4  
2.4  
2.4  
2.4  
2.4  
2.4  
CC  
2
CAPACITANCE  
(f = 1 MHz, T = Room Temperature, V = 5V)  
a
CC  
Parameter  
Symbol  
Signals  
Test Conditions  
Max  
Unit  
Input Capacitance  
I/O Capacitance  
C
C
A, CE, WE, OE  
I/O  
V
V
= 0V  
5
7
pF  
pF  
IN  
in  
in  
= V = 0V  
I/O  
out  
3