高效率升压型DC/DC芯片
2000MA高效率升压型DC/DC芯片 GS3662
主要特点
工作电压：5.0V-26V
内部集成250mΩ 2A大电流功率MOSFET
具有过温保护，内部振荡频率补偿功能
450KHZ固定开关频率，效率高达90%
内部1.25V基准参考调整
D1 IN5822
VOUT 18.5V
L 33uH/4A
输出电压：6V-30V可调
R2 13.8K
采用标准SOP-8封装
SW
5,6
VIN
2
FB
GS 3662
3
1
C
OUT
7,8
GND
220uF/50V
105
EN
R1
1K
VIN
105
ON
CIN
47uF /50V
OFF
3000MA高效率升压型DC/DC芯片 GS3663
主要特点
工作电压：5.0V-30V
内部集成250mΩ 3A大电流功率MOSFET
具有过温保护，内部振荡频率补偿功能
450KHZ固定开关频率，效率高达90%
内部1.25V基准参考调整
D1 IN5824
VOUT 18.5V
L 33uH/4A
输出电压：6V-36V可调
R2 13.8K
采用标准TO263-5L封装
SW
3
VIN
4
FB
GS 3663
5
2
C
OUT
1
220uF/50V
105
GND
EN
R1
1K
VIN
105
ON
CIN
222
47uF /50V
OFF
http://www.zgsemi.com
电话:+86-(0)755-29469758/29463758 传真: +86-(0)755-27668758-608
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