高效率升压型电源芯片
1000mA 高效率升压型DC/DC芯片 GS1661
4
3
5
6
2
1
GS 1661
VOUT
VIN
主要特点
工作电压：2.6V-5.5V
内部集成250mΩ 2A大电流功率MOSFET
具有过温保护，输出电流限制功能
1MHZ固定开关频率，效率高达90%
输出电压：3.0V-24V可调
采用微型SOT23-6封装
1500mA 高效率升压型DC/DC芯片 GS1662
L1
4.7uH. 2A
D1
SS 34
VCC/3.0V-5V
C1
VCC/5.0V
1
2
2
1
C2
+
104
+
C6
47uF/25V
100uF/25V
VDD
1
R1
320K
C4
104
SW
SW
ON
OFF
2
8
7
EN
GS 1662
FB
GND
S0E
S0E
C5
22PF
R2
100K
R4
0R/ 2W
主要特点
工作电压：1.0V-5.5V
内部集成250mΩ 3A大电流功率MOSFET
具有过温保护，输出电流限制功能
450KHZ固定开关频率，效率高达90%
输出电压：1.8V-20V可调
采用标准SOP-8封装
http://www.zgsemi.com
电话:+86-(0)755-29469758/29463758 传真: +86-(0)755-27668758-608
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