Philips Semiconductors
Product specification
Schottky barrier diode
GRAPHICAL DATA
MRA540
BAS85
MSA892
250
handbook, halfpage
I F(AV)
(mA)
200
10
3
handbook, halfpage
IF
(mA)
10
2
(1) (2) (3)
150
10
100
(1)
(2) (3)
1
50
0
0
50
100
Tamb ( C)
o
150
10
1
0
0.4
0.8
VF (V)
1.2
(1) T
amb
= 125
°C.
(2) T
amb
= 85
°C.
(3) T
amb
= 25
°C.
Fig.3
Fig.2 Derating curve.
Forward current as a function of forward
voltage; typical values.
MGC682
MGC681
10
5
handbook, halfpage
IR
(nA)
4
10
handbook, halfpage
12
(1)
d
(pF)
C
10
3
(2)
10
2
8
10
4
1
(3)
10
−1
0
0
10
20
VR (V)
30
0
10
20
VR (V)
30
(1) T
amb
= 85
°C.
(2) T
amb
= 25
°C.
(3) T
amb
=
−40 °C.
f = 1 MHz.
Fig.4
Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values.
Fig.5
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
1996 Oct 01
4
ETC [ ETC ]
