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NTD4302/D 参数 Datasheet PDF下载

NTD4302/D图片预览
型号: NTD4302/D
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内容描述: 功率MOSFET 20安培, 30伏\n [Power MOSFET 20 Amps, 30 Volts ]
分类和应用:
文件页数/大小: 12 页 / 90 K
品牌: ETC [ ETC ]
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NTD4302
最大额定值
( TC = 25° C除非另有说明)
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压 - 连续
热阻
- 结到环境(注1 )
总功率耗散@ TA = 25℃
连续漏电流@ TA = 25°C
漏电流脉冲(注5 )
热阻
- 结到环境(注2 )
总功率耗散@ TA = 25℃
连续漏电流@ TA = 25°C
连续漏电流@ TA = 100℃
漏电流脉冲(注5 )
热阻
- 结到环境(注3 )
总功率耗散@ TA = 25℃
连续漏电流@ TA = 25°C
连续漏电流@ TA = 100℃
漏电流脉冲(注5 )
热阻
- 结到环境(注4 )
总功率耗散@ TA = 25℃
连续漏电流@ TA = 25°C
连续漏电流@ TA = 100℃
漏电流脉冲(注5 )
工作和存储温度范围
单脉冲漏极 - 源极雪崩能量 - 开始TJ = 25°C
( VDD = 30 V直流, VGS = 10伏,峰值IL = 17 APK, L = 5.0 mH的, RG = 25
Ω)
最大的铅焊接温度的目的, 1/8“案件从10秒
1.
2.
3.
4.
5.
符号
VDSS
VGS
R
θJA
PD
ID
IDM
R
θJA
PD
ID
ID
IDM
R
θJA
PD
ID
ID
IDM
R
θJA
PD
ID
ID
IDM
TJ , TSTG
EAS
TL
价值
30
±20
1.3
96
30
90
25
5.0
18.5
11.5
60
67
1.87
11.3
7.1
36
120
1.04
8.4
5.3
28
-55到150
722
260
单位
VDC
VDC
° C / W
安培
安培
° C / W
安培
安培
安培
° C / W
安培
安培
安培
° C / W
安培
安培
安培
°C
mJ
°C
安装在散热器,稳态。
安装在2 “广场FR- 4板( 1 ”平方2盎司铜0.06 “厚单面) ,时间
10秒。
安装在2 “广场FR- 4板( 1 ”平方2盎司铜0.06 “厚单面) ,稳态。
最小的FR- 4或G - 10 PCB ,稳态。
脉冲测试:脉冲宽度= 300
µs,
占空比= 2 % 。
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