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降低 片机 系 的 磁干 (EMI)--- 三大措施
1. 禁止ALE 信号 出，适用型号:
STC89C51RC,STC89C52RC,STC89C53RC,STC89LE51RC,STC89LE52RC,STC89LE53RC
STC89C54RD+,STC89C58RD+,STC89C516RD+,STC89LE54RD+,STC89LE58RD+,STC89LE516RD+
STC89LE516AD / X2 系列 （注：此系列 片机无EXTRAM控制位）
RC/RD+系列8051 片机 展RAM管理及禁止ALE 出 特殊功能寄存器
Mnemonic Add Name 7 6 5 4 3 2
AUXR 8Eh Auxiliary Register 0 -
只写
1
0
Reset value
- - - - - EXTRAM ALEOFF xxxx,xx00
禁止ALE信号 出( 用示例供参考,C 言):
sfr
AUXR =
AUXR =
0x01;
0x8e;
/* 声明AUXR 寄存器的地址 */
/* ALEOFF位置1,禁止ALE信号 出,提升系 的EMI性能,复位后 0,ALE信号正常 出 */
禁止ALE信号 出( 用示例供参考,
AUXR EQU 8Eh ;
言):
或
AUXR DATA 8Eh
MOV AUXR,#00000001B; ALEOFF 位置“1”,禁止ALE信号 出,提升了系 的EMI性能
2. 外部
8051 片机在ISP
率降低一半，有效的降低 片机
率降一半，6T模式:
的8051 每个机器周期12
，如将STC的增 型
程序
双倍速（及6T模式，每个机器周期6
外界的干
）， 可将 片机外部
3. 片机内部 振 器增益降低一半: 在ISP
程序 将OSCDN
1/2 gain可以
有效的降低 片机 高 部分 外界的 射,但此 外部晶振 率尽量不要高于24MHz。
P4 口
RC/RD+系列8051 片机 I/O 口 特殊功能寄存器 Port SFRs
Mnemonic Add
Name
7
6
5
4
3
2
1
0
Reset Value
P0
P1
P2
P3
P4
80h
90h
A0h
B0h
E8h
8-bit Port 0 P0.7 P0.6 P0.5 P0.4 P0.3 P0.2 P0.1 P0.0 1111,1111
8-bit Port 1 P1.7 P1.6 P1.5 P1.4 P1.3 P1.2 P1.1 P1.0 1111,1111
8-bit Port 2 P2.7 P2.6 P2.5 P2.4 P2.3 P2.2 P2.1 P2.0 1111,1111
8-bit Port 3 P3.7 P3.6 P3.5 P3.4 P3.3 P3.2 P3.1 P3.0 1111,1111
4-bit Port 4 -
-
-
-
P4.3 P4.2 P4.1 P4.0 xxxx,1111
言：
P4
MOV
DATA
A,
0E8H ; or P4 EQU 0E8H
P4 ; Read P4 status to Accumulator.
MOV
ORL
ANL
MOV
P4,
P4,
P4,
P4,
#0AH ; Output data “A”through P4.0 - P4.3
#00000001B ; P4.0 = 1
#11111110B ; P4.0 = 0
#0AH ; Output data “A”through P4.0 - P4.3
C 言:
sfr
P4 = 0xe8;
C 言中声明P4口特殊功能寄存器地址
注：STC89LE516AD,STC89LE516X2,STC89LE58AD,STC89LE54AD的P4口地址在C0h。
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STC 增 型8051 片机中文指南(RC/RD+系列)
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