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HY29F800BT-70E 参数 Datasheet PDF下载

HY29F800BT-70E图片预览
型号: HY29F800BT-70E
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内容描述: X8 / X16闪存EEPROM [x8/x16 Flash EEPROM ]
分类和应用: 闪存可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 40 页 / 311 K
品牌: ETC [ ETC ]
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HY29F800  
AC CHARACTERISTICS  
Erase Command Sequence (last two cycles)  
Read Status Data (last two cycles)  
tW C  
tAS  
tAH  
Addresses  
CE#  
0x2AA  
SA  
VA  
VA  
Address = 0x555  
for chip erase  
tG H W L  
OE#  
tCH  
tW P  
WE#  
tW H W H 2 or  
tW H W H 3  
tCS  
tW P H  
tDS  
Data = 0x10  
for chip erase  
tDH  
Data  
0x55  
0x30  
tBUSY  
Status  
DOUT  
tRB  
RY/BY#  
VCC  
tVCS  
Notes:  
1. SA =Sector Address (for sector erase), VA = Valid Address for reading status data (see Write Operation Status section),  
DOUT is the true data at the read address.(0xFF after an erase operation).  
2. Commands shown are for Word mode operation.  
3. VCC shown only to illustrate tVCS measurement references. It cannot occur as shown during a valid command sequence.  
Figure 18. Sector/Chip Erase Operation Timings  
Rev. 4.0/Jan. 00  
29  
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