AS4LC1M16E5-60TC 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AS4LC1M16E5-60TC
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内容描述：	3V 1M X 6 CMOS DRAM （ EDO ） [3V 1M X 6 CMOS DRAM (EDO)]
分类和应用：	内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小：	22 页 / 590 K
品牌：	ETC [ ETC ]

AS4LC1M16E5

DC电气特性

-50

参数

输入leakag

权证

光凭目前

输出漏电流

工作电源

电源电流

TTL待机功耗

电源电流

平均供电

目前， RAS刷新

模式或CBR

EDO页面模式平均

电源电流

CMOS备用电源

电源电流

输出电压

CAS前RAS刷新

当前

符号

CC1

CC2

CC3

CC4

CC5

CC6

测试条件

≤

（最大）

被测= 0V引脚不

OUT

残疾人， 0V

≤

OUT

≤

（最大）

RAS ， UCAS ， LCAS ，地址骑自行车;

=分钟

RAS = = UCAS LCAS

≥

所有其他输入在V

或V

RAS骑自行车， UCAS = LCAS

≥

= RAS后XCAS低低分钟。

RAS = V

， UCAS或LCAS ，

针对循环：吨

HPC

=分钟

RAS = UCAS LCAS = = V

- 0.2V,

F=0

OUT

= -5.0毫安

OUT

= 4.2毫安

RAS ， UCAS或LCAS骑自行车，T

=分钟

RAS = = UCAS LCAS

≤

0.2V,

WE = OE

≥

- 0.2V,

所有其他输入在0.2V或

- 0.2V

民

-2

–

最大

140

2.0

民

-2

–

-60

最大

130

2.0

单位

笔记

4,5

–

2.4

–

0.4

–

2.4

–

0.4

4, 5

自刷新电流

CC7

–

0.5

–

0.5

阴影部分表示提前的信息。

4/11/01

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