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    AS4LC1M16E5-60TC 参数 Datasheet PDF下载

    AS4LC1M16E5-60TC图片预览
    型号： AS4LC1M16E5-60TC
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 3V 1M X 6 CMOS DRAM （ EDO ） [3V 1M X 6 CMOS DRAM (EDO)]
    分类和应用： 内存集成电路光电二极管动态存储器
    文件页数/大小： 22 页 / 590 K
    品牌： ETC [ ETC ]
     浏览型号AS4LC1M16E5-60TC的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AS4LC1M16E5-60TC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AS4LC1M16E5-60TC的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AS4LC1M16E5-60TC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AS4LC1M16E5-60TC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AS4LC1M16E5-60TC的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AS4LC1M16E5-60TC的Datasheet PDF文件第8页浏览型号AS4LC1M16E5-60TC的Datasheet PDF文件第9页  
    AS4LC1M16E5
    ®
    3V 1M × 16的CMOS DRAM（ EDO ）
    特点
    •组织： 1,048,576字× 16位
    •高速
    - 50/60 ns的RAS访问时间
    - 20/25纳秒超页面周期时间
    - 12/15 NS CAS访问时间
    •读 - 修改 - 写
    • TTL兼容，三态DQ
    • JEDEC标准封装，引脚排列
    - 400万， 42引脚SOJ
    - 400万，44个/ 50-引脚TSOP II
    •低功耗
    - 活动： 500毫瓦最大（ -60 ）
    - 待机： 3.6毫瓦最大， CMOS DQ
    •扩展数据输出
    • 1024刷新周期， 16毫秒刷新间隔
    - RAS-只或CAS先于RAS的刷新或自刷新
    • 3V电源（ AS4LC1M16E5 ）
    •耐5V的I / O ; 5.5V最大V
    IH
    •工业和商业温度可
    管脚配置
    SOJ
    VCC
    DQ1
    DQ2
    DQ3
    DQ4
    VCC
    DQ5
    DQ6
    DQ7
    DQ8
    NC
    NC
    WE
    RAS
    NC
    NC
    A0
    A1
    A2
    A3
    VCC
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    7
    8
    9
    10
    11
    12
    13
    14
    15
    16
    17
    18
    19
    20
    21
    42
    41
    40
    39
    38
    37
    36
    35
    34
    33
    32
    31
    30
    29
    28
    27
    26
    25
    24
    23
    22
    V
    SS
    DQ16
    DQ15
    DQ14
    DQ13
    V
    SS
    DQ12
    DQ11
    DQ10
    DQ9
    NC
    LCAS
    UCAS
    OE
    A9
    A8
    A7
    A6
    A5
    A4
    V
    SS
    V
    CC
    DQ1
    DQ2
    DQ3
    DQ4
    V
    CC
    DQ5
    DQ6
    DQ7
    DQ8
    NC
    引脚名称
    TSOP II
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    7
    8
    9
    10
    11
    50
    49
    48
    47
    46
    45
    44
    43
    42
    41
    40
    V
    SS
    DQ16
    DQ15
    DQ14
    DQ13
    V
    SS
    DQ12
    DQ11
    DQ10
    DQ9
    NC
    PIN码（ S）
    A0到A9
    RAS
    DQ1到DQ16
    OE
    WE
    UCAS
    LCAS
    V
    CC
    V
    SS
    描述
    地址输入
    行地址选通
    输入/输出
    OUTPUT ENABLE
    写使能
    列地址选通，高字节
    列地址选通，低字节
    动力
    地
    NC
    NC
    WE
    RAS
    NC
    NC
    A0
    A1
    A2
    A3
    V
    CC
    15
    16
    17
    18
    19
    20
    21
    22
    23
    24
    25
    36
    35
    34
    33
    32
    31
    30
    29
    28
    27
    26
    NC
    LCAS
    UCAS
    OE
    A9
    A8
    A7
    A6
    A5
    A4
    V
    SS
    选购指南
    符号
    最大的RAS访问时间
    最大列地址访问时间
    最大CAS访问时间
    最大输出使能（ OE ）访问时间
    最小的读或写周期时间
    最小的超页模式周期时间
    最大工作电流
    最大的CMOS待机电流
    阴影部分表示提前的信息。
    -50
    50
    25
    10
    10
    80
    20
    140
    1.0
    -60
    60
    30
    12
    12
    100
    25
    120
    1.0
    单位
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    mA
    mA
    t
    RAC
    t
    AA
    t
    CAC
    t
    OEA
    t
    RC
    t
    HPC
    I
    CC1
    I
    CC5
    4/11/01; v.1.0
    半导体联盟
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    P.
    1 22
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