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BSP75N 参数 Datasheet PDF下载

BSP75N图片预览
型号: BSP75N
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内容描述: 60V自保护低端IntelliFETTM MOSFET开关 [60V self-protected low-side IntellifetTM MOSFET switch]
分类和应用: 驱动器开关接口集成电路光电二极管PC
文件页数/大小: 8 页 / 644 K
品牌: ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
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BSP75N
电气特性(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明)
参数
静态特性
漏源电压钳
断态漏电流
断态漏电流
输入阈值电压
(*)
输入电流
输入电流
输入电流
静态漏源导通状态
阻力
静态漏源导通状态
阻力
电流限制
(†)
电流限制
动态特性
开启时间(V
IN
到90%我
D
)
关断时间(V
IN
到90%我
D
)
在( 70〜 50 %V压摆率
DD
)
压摆率的折扣(50 〜70 %的V
DD
)
保护功能
(‡)
所需的输入电压
过温保护
热过载跳闸
温度
热滞
松开单脉冲
电感能T
j
=25°C
松开单脉冲
电感能T
j
=150°C
逆二极管
源漏极电压
V
SD
符号
V
DS ( AZ )
I
DSS
I
DSS
V
IN(日)
I
IN
I
IN
I
IN
R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
I
D( LIM )
I
D( LIM )
t
on
t
关闭
-dV
DS
/ DT
on
DV
DS
/ DT
关闭
0.7
1.0
分钟。
60
典型值。
70
0.1
3
2.1
0.7
1.5
4
520
385
1.0
1.8
3.0
13
8
3.2
马克斯。
75
3
15
1.2
2.7
7
675
550
1.5
2.3
10
20
20
10
单位
V
A
A
V
mA
mA
mA
m
m
A
A
s
s
V / S
V / S
条件
I
D
=10mA
V
DS
=12V, V
IN
=0V
V
DS
=32V, V
IN
=0V
V
DS
=V
GS
, I
D
=1mA
V
IN
=+5V
V
IN
=+7V
V
IN
=+10V
V
IN
= + 5V ,我
D
=0.7A
V
IN
= + 10V ,我
D
=0.7A
V
IN
=+5V, V
DS
>5V
V
IN
=+10V, V
DS
>5V
R
L
=22 , V
DD
=12V,
V
IN
= 0到+ 10V
R
L
=22 , V
DD
=12V,
V
IN
= + 10V至0V
R
L
=22 , V
DD
=12V,
V
IN
= 0到+ 10V
R
L
=22
,
V
DD
=12V,
V
IN
= + 10V至0V
1
V
PROT
T
JT
4.5
150
175
1
V
°C
°C
mJ
mJ
E
AS
550
200
I
D( ISO )
=0.7A,
V
DD
=32V
I
D( ISO )
=0.7A,
V
DD
=32V
V
IN
= 0V ,-I
D
=1.4A
1
V
注意事项:
(*)的漏极电流被限制在一个较小的值在V
DS
超过安全水平。
( † )保护功能可以操作规范之外的V
IN
<4.5V.
( ‡ )集成保护功能的目的是防止在所述的故障条件下的IC破坏
数据表。故障条件被认为是"outside"正常工作范围。保护功能不被设计
为连续的,重复的操作。
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