GP1020
电气特性
这些特性都保证在下列条件（除非另有说明） ：
电源电压，V
DD
= 5V
±10%;
环境温度，T
AMB
= 0℃至
170°C
（CG级）， 240 ℃至
185°C
（ IG级） 。
DC特性
特征
分钟。
电源电流，我
DD
芯片完全主动
CMOS输入上拉电阻到V
DD
： RTCINT ，
主/从， MARKFB （ 3 ： 1 ） ，南大， NANDB ，
WPROG ， ALE
输入电压高
输入电压低
上拉电阻
CMOS输入，下拉电阻到V
SS
： MOT / INTEL ，
CLKSEL ， INT IN， IN TIC
输入电压高
输入电压低
下拉电阻
CMOS输入没有任何上拉或下拉电阻：
MASTERRESET ， CS ，文， RW ， MASTERCLK （注1 ） ，
SLAVECLK ， A（ 8 ： 1 ） ， D（ 15 ： 0 ） ， TCK ， TDI ， TMS ， TRST
输入电压高
输入电压低
输入漏电流
TTL输入，上拉电阻到V
DD
：SIGN （9 ：0），
MAG（ 9 ：0）， PLLLOCKIN ， GLONASSBIT
输入电压高
输入电压低
上拉电阻
TTL输入与下拉电阻到V
SS
： TSCAN ，第三文化孩子，
TDI1 ， TMS1 ， TMS2
输入电压高
输入电压低
下拉电阻
输入为低电平时钟： MASTERCLK （注1 ）
峰值到峰值正弦波
功率电平1的输出： TMAG ， TSIGN ，TDO TDO （7 ：1），
NANDOP
输出电压高
输出电压低
功率电平3输出： 100 / 219kHz ， INT OUT ， SAMPCLK ，
TIC OUT ，咬CNTL ， DISCOP ，时间标记
输出电压高
输出电压低
功率电平1输出，三态： MAG （ 9 ： 2 ） ， SIGN （ 8 ： 2 ） ，
TCK （7： 1）
输出电压高
输出电压低
输出漏电流
功率电平3输出三态： SLAVECLK
输出电压高
输出电压低
输出漏电流
功率电平6输出三态：D （ 15 ： 0 ）
输出电压高
输出电压低
输出漏电流
偏置输出： BIAS
注： 1 。
价值
典型值。
马克斯。
100
单位
mA
条件
0·8V
DD
20
75
0·2V
DD
250
V
V
kΩ
0·8V
DD
20
75
0·2V
DD
250
V
V
kΩ
0·8V
DD
1
0·2V
DD
10
V
V
µA
V
SS
＆ LT ; V
针
＆ LT ; V
DD
2·0
20
75
0·8
250
V
V
kΩ
2·0
20
600
V
DD
21
V
DD
20·5
0·2
75
0·8
250
V
V
kΩ
mV
V
V
AC耦合
I
OH
=
21·5mA
I
OL
= 1 · 5毫安
I
OH
=
24·5mA
I
OL
= 4 · 5毫安
0·4
V
DD
21
V
DD
20·5
0·2
0·4
V
V
V
DD
21
V
DD
20·5
0·2
V
DD
20·5
0·2
V
DD
20·5
0·2
0·4
10
0·4
10
0·4
10
V
V
µA
V
V
µA
V
V
µA
I
OH
=
21·5mA
I
OL
= 1 · 5毫安
V
SS
＆ LT ; V
针
＆ LT ; V
DD
I
OH
=
24·5mA
I
OL
= 4 · 5毫安
V
SS
＆ LT ; V
针
＆ LT ; V
DD
I
OH
=
29·0mA
I
OL
= 9 · 0毫安
V
SS
＆ LT ; V
针
＆ LT ; V
DD
V
DD
21
V
DD
21
只能用于特殊输出到如图所示。 12 （第8页）
输入MASTERCLK可以由CMOS逻辑电平或通过一个低振幅的正弦波进行驱动，如果BIAS引脚连接如图所示
图。 12 。
4
ZARLINK [ ZARLINK SEMICONDUCTOR INC ]
