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XC3S1600E-4FGG320C 参数 Datasheet PDF下载

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型号: XC3S1600E-4FGG320C
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内容描述: 的Spartan- 3E FPGA系列 [Spartan-3E FPGA Family]
分类和应用: 现场可编程门阵列可编程逻辑时钟
文件页数/大小: 193 页 / 1733 K
品牌: XILINX [ XILINX, INC ]
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06
R
的Spartan- 3E FPGA系列:
简介和订购
信息
0
DS312-1 ( V1.1 ) 2005年3月21日
0
先期产品技术说明
介绍
现场可编程门了Spartan ™ -3E系列
阵列(FPGA)是专门设计来满足需要
大批量,成本敏感的消费电子应用
系统蒸发散。五口之家提供的密度范围从
10万到160万系统门,如图
在Spartan-3E系列建立在早先的成功
Spartan-3系列每增加我的逻辑/ O数量,
显著减少每个逻辑单元的成本。新功能
提高系统性能并降低config-的成本
uration 。这些的Spartan-3E的增强,结合
先进的90纳米制程技术,提供更多的功能 -
先进而精湛和带宽每美元比以前,
设置在可编程逻辑业界的新标准。
因为它们的成本非常低,的Spartan-3E的FPGA
非常适用于广泛的消费电子产品
应用,包括宽带接入,家庭网络 -
荷兰国际集团,显示器/投影和数字电视设备。
在Spartan-3E系列是一个更好的选择,以掩盖亲
编程的ASIC。 FPGA的避免了初期成本高,在
漫长的开发周期,以及固有的僵化
传统的ASIC。此外, FPGA的可编程许可证
设计升级,在现场没有更换硬件
必要时,是不可能用的ASIC。
- 真正的LVDS , RSDS ,迷你LVDS差分I / O
- 3.3V , 2.5V , 1.8V , 1.5V和1.2V电压信号
- 增强的双倍数据速率( DDR )支持
丰富的,灵活的逻辑资源
- 密度最高达33192个逻辑单元,包括
可选的移位寄存器或分布式RAM支持
- 高效的多路广,广逻辑
- 快速先行进位逻辑
- 增强型18× 18乘法器可选管道
- IEEE 1149.1 / 1532 JTAG编程/调试端口
分层SelectRAM ™内存架构
- 高达648千位的快速块RAM
- 高达231 Kbit的高效分布式RAM
多达八个数字时钟管理器(DCM )
- 时钟偏移消除(延迟锁定环)
- 频率合成,乘法,除法
- 高分辨率移相
- 宽的频率范围( 5 MHz到300 MHz以上)
八个全局时钟和八个时钟为每半
设备,再加上丰富的低偏移的路由
配置接口行业标准的PROM
- 低成本,节省空间的SPI串行闪存PROM
- X8或x8 / x16的并行NOR闪存PROM
- 低成本的Xilinx Platform Flash的使用JTAG
完整的Xilinx ISE ™ , WebPACK的发展™
系统支持
的MicroBlaze ™ ,的PicoBlaze ™嵌入式处理器内核
完全兼容32位/ 64位33/66 MHz的PCI支持
低成本的QFP和BGA封装选项
- 公共脚印支持易密度移植
- 无铅封装选项
特点
成本极低,适用于高性能逻辑解决方案
大容量,面向消费者的应用
成熟的先进的90纳米制程技术
多电压,多标准的SelectIO ™接口引脚
- 高达376 I / O引脚或156差分信号对
- LVCMOS , LVTTL , HSTL , SSTL和单端
信号标准
表1:
中的Spartan- 3E FPGA的属性摘要
当量
逻辑
细胞
2,160
5,508
10,476
19,512
33,192
CLB阵列
(一CLB =四片)
行列
22
34
46
60
76
16
26
34
46
58
个CLB
240
612
1,164
2,168
3,688
切片
960
2,448
4,656
8,672
14,752
分布
RAM位
15K
38K
73K
136K
231K
内存
72K
216K
360K
504K
648K
最大
迪FF erential
I / O对
40
68
92
124
156
设备
XC3S100E
XC3S250E
XC3S500E
XC3S1200E
XC3S1600E
系统
100K
250K
500K
1200K
1600K
专用
乘法器的DCM
4
12
20
28
36
2
4
4
8
8
最大
用户I / O
108
172
232
304
376
注意事项:
1.按照惯例, 1 KB等于1,024位。
©2005 Xilinx公司保留所有权利。 XILINX , Xilinx标和其他指定的品牌包括在本文中是Xilinx,Inc.的商标。
所有其他商标均为其各自所有者的财产。
DS312-1 ( V1.1 ) 2005年3月21日
先期产品技术说明
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