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WBP13007-K 参数 Datasheet PDF下载

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型号: WBP13007-K
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内容描述: 高压快速开关NPN功率晶体管 [High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor]
分类和应用: 晶体开关晶体管高压
文件页数/大小: 5 页 / 376 K
品牌: WINSEMI [ SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD ]
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WBP13007-K  
Electrical Characteristics (TC=25unless otherwise noted)  
Value  
Symbol  
Units  
Parameter  
TestConditions  
Min Typ Max  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Ic=10mA,Ib=0  
400  
-
-
V
VCEO(sus)  
1.0  
1.5  
2.0  
Ic=2.0A,Ib=0.4A  
Ic=5.0A,Ib=1.0A  
Ic=8.0A,Ib=2.0A  
Ic=5.0A,Ib=1.0A  
-
-
V
VCE(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
-
-
-
-
-
-
-
-
2.5  
V
V
Tc=100℃  
1.2  
1.6  
Ic=2.0A,Ib=0.4A  
Ic=5.0A,Ib=1.0A  
VBE(sat)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Ic=5.0A,Ib=1.0A  
Tc=100℃  
1.5  
V
Collector-Base Cutoff Current  
(Vbe=-1.5V)  
1.0  
5.0  
Vcb=700V  
ICBO  
mA  
Vcb=700V, Tc=100℃  
8
5
-
-
40  
40  
Vce=5V,Ic=2.0A  
Vce=5V, Ic=5.0A  
hFE  
DC Current Gain  
Resistive Load  
Storage Time  
Fall Time  
-
VCC=125V , Ic=5.0A  
I =1.0A ,  
B1  
I
=-1.0A  
B2  
1.5  
3.0  
0.4  
ts  
tf  
Tp=25  
0.17  
Inductive Load  
Storage Time  
Fall Time  
V
=15V ,Ic=5A  
cc  
-
-
0.8  
2.0  
ts  
tf  
I =1.0A , I =-2.5A  
B1 B2  
L=0.35mH,V  
=300V  
clamp  
0.06  
0.12  
Inductive Load  
Storage Time  
Fall Time  
V =15V ,Ic=1A I =0.4A ,  
CC B1  
I
=-1.0A  
B2  
-
-
1.0  
3.0  
ts  
tf  
L=0.35mH,Vclamp=300V  
Tc=100℃  
0.07  
0.15  
Note:  
Pulse Test : Pulse width 300, Duty cycle 2%  
2/5  
Steady, keep you advance